规格：工作温度最高值 150°C,
MULTICOMP
单管二极管 齐纳, 30 V, 1 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 14 A, 600 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 三相, 1.2 kV, 35 A, 模块, 1.19 V, 5 引脚
(EN)
MULTICOMP
肖特基整流器, 100 V, 3 A, 单, DO-214AB, 2 引脚, 850 mV
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 20 V, 300 mW, SOD-323, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
MULTICOMP
标准恢复二极管, 200 V, 1 A, 单, 1.1 V, 30 A
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, 双PNP, -45 V, 200 MHz, 1.25 W, -1 A, 1000 hFE
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
快速/超快功率二极管, 单, 600 V, 37 A, 1.6 V, 35 ns, 300 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
场效应管, MOSFET, N沟道, 30V
(EN)
VISHAY
MOSFET, P CHANNEL, -20V, -60A, POWERPAK SO-8
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.16 ohm, 10 V, 4.5 V
(EN)
NEXPERIA
二极管阵列 齐纳, 2.4 V, 双共阳极, 425 mW, -65 °C, 150 °C, SOT-663
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
快速/超快二极管, 50 V, 1 A, 单, 1 V, 50 ns, 30 A
(EN)
WOLFSPEED
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, 20 V, 2.6 V
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 400 V, 300 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
INFINEON
单晶体管, IGBT, 50 A, 1.9 V, 180 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚
(EN)TAIWAN SEMICONDUCTOR
标准功率二极管, 1 kV, 1.5 A, 单, 1 V, 50 A
(EN)
NTE ELECTRONICS
齐纳二极管, 5W, 24V, DO-204AE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -4 V
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 200 V, 25 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 580 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
整流器, 桥接, 单相, 4A, 400V, 通孔安装
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -4.1A, -30V, 1.3W
(EN)
NEXPERIA
晶体管 双极-射频, PNP, -30 V, 100 MHz, 200 mW, -100 mA, 800 hFE
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 400 V, 200 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
