规格：工作温度最高值 150°C,
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 22 A, 600 V, 0.085 ohm, 10 V, 3.5 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 55 V, 0.075 ohm, 10 V, 4 V
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24.3 A, 650 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 1 kV, 35 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 800 V, 25 A, SIP, 1 V, 4 引脚
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, P通道, MOSFET, -55V, 11A, D-PAK
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 7.5A, 1206
(EN)
SEMELAB
单晶体管 双极, 通用, PNP, 120 V, 40 W, 2 A, 40 hFE
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.2 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, PNP, -120 V, 100 MHz, 500 mW, -50 mA, 300 hFE
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, PNP, -100 V, 2 W, -5 A, 1000 hFE
(EN)MULTICOMP
单晶体管 双极, 通用, PNP, -100 V, 3 MHz, 30 W, 1 A, 75 hFE
(EN)
VISHAY
标准二极管, 3A, 200V, DO-201AD
(EN)
WEEN SEMICONDUCTOR
三端双向可控硅, 600 V, 5 W, 1.5 V, TO-220FP, 65 A
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, AEC-Q100, PNP, -350 V, 30 MHz, 50 W, -4 A, 10 hFE
(EN)MULTICOMP
单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 3 MHz, 30 W, 1 A, 40 hFE
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 外延平面, 3.9 V, 200 mW, SOD-323F, 2 引脚, 150 °C
(EN)
DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 5.1 V, 200 mW, SOD-323, 6 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
MULTICOMP
标准恢复二极管, 50 V, 1.5 A, 单, 1.1 V, 50 A
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 180 MHz, 500 mW, 1 A, 63 hFE
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, -500 V, 60 MHz, 2 W, 50 mA, 100 hFE
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 77.5 A, 600 V, 0.037 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶闸管, 10 V, 1.3 A, 1 A, 457-04, 2 引脚
(EN)VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 400 V, 3 A, D-72, 1.1 V, 4 引脚
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 75 W, 8 A, 100 hFE
(EN)
