规格：工作温度最高值 150°C,
DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 12 V, 55 MHz, 1.1 W, 4 A, 500 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 100 V, 0.28 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
齐纳二极管, 6.2V, 350mW, SOT-23
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 130 MHz, 2 W, 5.2 A, 250 hFE
(EN)
STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 55 V, 35 mohm, 5 V, 2.5 V
(EN)
ROHM
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 150 MHz, 500 mW, 500 mA, 2000 hFE
(EN)
ROHM
单晶体管 双极, NPN, 12 V, 360 MHz, 200 mW, 2 A, 270 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 200 mW, 500 mA, 250 hFE
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 40 V, 100 MHz, 2 W, 3 A, 300 hFE
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
二极管 桥式整流, 单相, 400 V, 15 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
二极管 桥式整流, 单相, 200 V, 35 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 16 V, 1 W, SOD-123FL, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ROHM
肖特基整流器, 45 V, 6 A, 双共阴极, TO-252, 3 引脚, 550 mV
(EN)
ROHM
二极管阵列 齐纳, Bidirectional, 18 V, 200 mW, -55 °C, 150 °C, SOT-323
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 20 V, 2.5 ohm, 4.5 V, 1 V
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, P沟道, -100 mA, -20 V, 2.5 ohm, -4.5 V, -1 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 18A, POWERPAK 1212-8
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 600 V, 0.5 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 3.9 V, 500 mW, SOD-323HE, 2 引脚, 150 °C
(EN)ROHM
单管二极管 齐纳, 7.5 V, 500 mW, SOD-323HE, 2 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 200 V, 35 A, 模块, 1.14 V, 4 引脚
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 75 V, 250 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
STMICROELECTRONICS
单晶体管 双极, PNP, 45 V, 1.25 W, 1.5 A, 40 hFE
(EN)
ALLEGRO SANKEN
单晶体管 双极, NPN, 230 V, 60 MHz, 200 W, 17 A, 50 hFE
(EN)
MULTICOMP
二极管 桥式整流, 单相, 200 V, 35 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
