规格：工作温度最高值 150°C,
MULTICOMP
二极管 桥式整流, 单相, 800 V, 10 A, 通孔安装, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 400 V, 30 MHz, 300 mW, 500 mA, 200 hFE
(EN)
VISHAY
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4 A, -20 V, 0.048 ohm, -4.5 V, -1.4 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 30 V, 0.014 ohm, 10 V, 1 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
小信号肖特基二极管, 双共阴极, 120 V, 40 A, 830 mV, 210 A, 150 °C
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 100 V, 4 ohm, 10 V, 2.4 V
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 6.2 V, 250 mW, SOT-23, 1 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 16 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 5.1 V, 550 mW, SOD-323F, 2 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
MULTICOMP
单管二极管 齐纳, 27 V, 5 W, DO-201AE, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, PNP, 60 V, 40 MHz, 60 W, -8 A, 60 hFE
MULTICOMP
快速/超快二极管, 200 V, 4 A, 单, 1.35 V, 60 ns, 150 A
(EN)
INFINEON
单晶体管, IGBT, 16.5 A, 3.1 V, 125 W, 1.2 kV, TO-220, 3 引脚
(EN)STMICROELECTRONICS
小信号肖特基二极管, 单, 120 V, 20 A, 840 mV, 240 A, 150 °C
(EN)
VISHAY
桥式整流器
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 音频, PNP, 200 V, 30 MHz, 200 W, 15 A, 175 hFE
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 100 MHz, 300 mW, 3 A, 300 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
双极性晶体管, NPN, 80V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 12.5 W, 1.5 A, 100 hFE
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 700 V, 0.171 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2 A, 800 V, 2.4 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
TOSHIBA
晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 500 V, 230 mohm, 10 V, 2 V
(EN)
MULTICOMP
二极管 桥式整流, 单相, 600 V, 1 A, SMD, 1.1 V, 4 引脚
(EN)STMICROELECTRONICS
单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 65 W, 5 A, 1000 hFE
(EN)
