规格：工作温度最高值 150°C,
TEXAS INSTRUMENTS
场效应管, N沟道, 大功率, 30V, 47A, SON-8
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, P沟道, -28 A, -30 V, 0.0052 ohm, -10 V, -1.8 V
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 45 V, 16 A, 单, TO-220AC, 2 引脚, 630 mV
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
标准恢复二极管, 400 V, 2 A, 单, 1.1 V, 60 A
(EN)
STMICROELECTRONICS
单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 60 V, 40 W, 4 A, 750 hFE
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 8.2 V, 100 mW, SOD-923, 2 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 500 V, 3 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 1 kV, 1.05 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 2.4 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
MULTICOMP
单管二极管 齐纳, 47 V, 5 W, DO-201AE, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
MULTICOMP
标准恢复二极管, 200 V, 3 A, 单, 1.2 V, 200 A
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 45 V, 180 MHz, 1.65 W, 1 A, 100 hFE
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 45 V, 300 MHz, 200 mW, 100 mA, 290 hFE
(EN)
MULTICOMP
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 70 W, 10 A, 750 hFE
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 100 V, 25 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 27 A, 600 V, 220 mohm, 10 V, 5 V
(EN)
ROHM
双极晶体管阵列, 双路, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-363
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, P沟道, -5.9 A, -100 V, 150 mohm, -10 V, -4 V
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 25 V, 100 MHz, 2 W, 3 A, 300 hFE
(EN)
STMICROELECTRONICS
单晶体管 双极, PNP, -50 V, 1.4 W, -5 A, 70 hFE
(EN)MULTICOMP
单晶体管 双极, PNP, -80 V, 125 MHz, 500 mW, -1 A, 250 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管, IGBT, 70 A, 2 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
(EN)
NXP
晶体管, JFET, JFET, 30 V, 6 mA, 15 mA, 7.5 V, SOT-23, JFET
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, 150 V, 800 mW, DO-219AB, 2 引脚, 150 °C
(EN)
