规格：工作温度最高值 150°C,
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 68.5 A, 700 V, 0.037 ohm, 10 V, 4 V
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 900 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, 沟槽式, N沟道, 4.5 A, 30 V, 0.033 ohm, 4.5 V, 650 mV
(EN)
ROHM
肖特基整流器, 45 V, 10 A, 双共阴极, TO-252, 3 引脚, 550 mV
(EN)ROHM
快速/超快功率二极管, 600 V, 5 A, 单, 1.7 V, 30 ns, 50 A
(EN)
MULTICOMP
快速/超快二极管, 单, 400 V, 1 A, 1 V, 50 ns, 30 A
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 700 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.4 V
(EN)
NEXPERIA
二极管阵列 齐纳, 9.1 V, 双共阳极, 425 mW, -65 °C, 150 °C, SOT-663
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
桥式整流器
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.22 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
晶体管, 单路, IGBT, 600V, 40A
(EN)
VISHAY
桥式整流器, 单相, 25A, 600V, GSIB-5
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 4.4 mohm, 10 V, 3 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, NPN, 30 V, 300 MHz, 500 mW, 100 mA, 420 hFE
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 100 V, 10 ohm, 10 V, 2.4 V
(EN)
MULTICOMP
单晶体管 双极, PNP, -45 V, 200 MHz, 300 mW, -500 mA, 250 hFE
(EN)
ROHM
单晶体管 双极, NPN, 30 V, 280 MHz, 500 mW, 3 A, 200 hFE
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 6.8 V, 100 mW, SOD-923, 2 引脚, 150 °C
(EN)
MULTICOMP
快速/超快二极管, 单, 200 V, 1 A, 950 mV, 35 ns, 30 A
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, 开关, NPN, 40 V, 300 MHz, 500 mW, 600 mA, 100 hFE
(EN)
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 800 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 65 W, 5 A, 1000 hFE
(EN)
BROADCOM LIMITED
晶体管, 射频FET, Vixen 低噪, 5 V, 100 mA, 300 mW, 500 MHz, 18 GHz, SMD
(EN)
