规格：工作温度最高值 150°C,
NEXPERIA
单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 220 MHz, 1.3 W, 500 mA, 10000 hFE
(EN)
INFINEON
单晶体管, IGBT, 快速CoPACK, N通道, 31 A, 1.99 V, 100 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 25 V, 135 MHz, 2.5 W, 4 A, 450 hFE
(EN)
INFINEON
单晶体管, IGBT, 通用, 75 A, 2.3 V, 270 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
(EN)
ROHM
快速/超快二极管, 200 V, 6 A, 双共阴极, 980 mV, 25 ns, 40 A
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 20 V, 0.052 ohm, 4.5 V, 1 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -20 V, 130 mohm, -4.5 V, -600 mV
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 700 V, 0.3 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
SOLID STATE
桥式整流器, 50A
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 100 V, 8 A, SIP, 1 V, 4 引脚
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 音频, PNP, 250 V, 30 MHz, 150 W, -15 A, 75 hFE
(EN)
ROHM
二极管阵列 齐纳, Bidirectional, 33 V, 200 mW, -55 °C, 150 °C, SOT-323
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 30 V, 0.027 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
MULTICOMP
标准功率二极管, 600 V, 3 A, 单, 1.2 V, 200 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
场效应管, MOSFET, N沟道, 20A, 600V
(EN)
MULTICOMP
二极管 桥式整流, 单相, 100 V, 25 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.2 A, 600 V, 0.171 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, P通道, MOSFET, -100V, 6.6A D-PAK
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 7.9 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 400 mV
(EN)
STMICROELECTRONICS
Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 12 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, NPN
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 800 V, 8 A, SIP, 1 V, 4 引脚
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 125 W, -10 A, 1000 hFE
(EN)
