规格：工作温度最高值 150°C,
VISHAY
标准二极管, 3A, 100V, DO-201AD
(EN)
INFINEON
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7 A, 20 V, 30 mohm, 4.5 V, 1.2 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, PNP, -80 V, 40 MHz, 1.75 W, -8 A, 40 hFE
(EN)
MULTICOMP
二极管 桥式整流, 单相, 400 V, 10 A, 通孔安装, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 500 V, 180 mohm, 10 V, 5 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 400 V, 0.5 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, 半桥接, N和P沟道, 1.8 A, 60 V, 1.5 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 30 V, 33 mohm, 10 V, 1.2 V
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 180 MHz, 650 mW, 1 A, 100 hFE
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 700 V, 0.171 ohm, 10 V, 4 V
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 31.2 A, 650 V, 0.099 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 100 V, 10 A, 单, TO-220AC, 2 引脚, 850 mV
(EN)
SEMELAB
晶体管, MOSFET, P沟道, 4 A, -100 V, 600 mohm, -10 V, -4 V
(EN)STMICROELECTRONICS
单晶体管 双极, NPN, 450 V, 30 W, 4 A, 20 hFE
(EN)
VISHAY
桥式整流器, 单相, Vrrm:600V
(EN)TAIWAN SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 60 V, 16 A, 单, TO-220AC, 2 引脚, 750 mV
(EN)
ROHM
肖特基整流器, AEC-Q101, 单, 60 V, 3 A, SOD-106, 2 引脚, 560 mV
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -30 V, 0.045 ohm, -10 V, -2.5 V
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 30 V, 0.046 ohm, 10 V, 1 V
(EN)
DIODES INC.
小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 100 mA, 800 mV, 750 mA, 150 °C
(EN)
DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 2.7 V, 300 mW, SOD-523, 7 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 10 V, 100 mW, SOD-923, 2 引脚, 150 °C
(EN)
