规格：工作温度最高值 150°C,
STMICROELECTRONICS
肖特基整流器, 双共阴极, 25 V, 10 A, TO-220AB, 3 引脚, 350 mV
(EN)STMICROELECTRONICS
小信号肖特基二极管, 双共阴极, 100 V, 40 A, 810 mV, 530 A, 150 °C
(EN)
VISHAY
桥式整流器
(EN)
ROHM
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 280 MHz, 500 mW, 2.5 A, 120 hFE
(EN)
MULTICOMP
二极管 桥式整流, 单相, 600 V, 35 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 4.3 A, -200 V, 800 mohm, -10 V, -4 V
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 3 V, 1 W, SOD-123FL, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ROHM
二极管阵列 齐纳, Bidirectional, 6.8 V, 200 mW, -55 °C, 150 °C, SOT-323
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 250 mW, 500 mA, 100 hFE
(EN)
STMICROELECTRONICS
单晶体管 双极, NPN, 450 V, 70 W, 2 A, 35 hFE
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 高静电防护, 12 V, 150 mW, SOD-523, 2 引脚, 150 °C
(EN)
INFINEON
快速/超快功率二极管, 1.2 kV, 50 A, 单, 2.15 V, 380 ns, 102 A
(EN)ROHM
单管二极管 齐纳, 外延平面, 12 V, 1 W, SOD-123, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单管二极管 齐纳, 3.9 V, 500 mW, SOD-123, 2 引脚, 150 °C
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 130 MHz, 600 mW, 6.2 A, 500 hFE
(EN)ROHM
肖特基整流器, 40 V, 200 mA, 单, SOD-323FL, 2 引脚, 710 mV
(EN)
STMICROELECTRONICS
小信号肖特基二极管, 单, 60 V, 20 A, 630 mV, 400 A, 150 °C
(EN)
STMICROELECTRONICS
单晶体管, IGBT, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -12 V, 0.066 ohm, -4.5 V, -800 mV
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.023 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)TAIWAN SEMICONDUCTOR
二极管 桥式整流, 单相, 800 V, 25 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.113 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 46 A, 650 V, 0.04 ohm, 10 V, 3.5 V
(EN)
INFINEON
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.6 A, 80 V, 73 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
双路场效应管, N 通道, MOSFET, 80V, SOIC
