规格：工作温度最高值 150°C,
VISHAY
桥式整流器, 单相, 8A, 600V 通孔安装
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管, IGBT, 30 A, 1.7 V, 117 W, 600 V, TO-220, 3 引脚
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 40 V, 0.0019 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 200 V, 1.9 A, 通孔安装, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
NEXPERIA
双极晶体管阵列, NPN, PNP, 60 V, 2.3 W, 6.7 A, 300 hFE, SOIC
(EN)
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
标准恢复, 1A, 1KV, DO-41
(EN)
INFINEON
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.1 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1.6 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 20 V, 0.068 ohm, 4.5 V, 700 mV
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13.8 A, 600 V, 0.252 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, MOSFET, 30V, 18A, SOIC
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, JFET, JFET, 40 V, -4 mA, -16 mA, 9 V, SOT-23, JFET
(EN)
NTE ELECTRONICS
功率晶体管, NPN, 70V, TO-220
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -30 V, 73 mohm, -10 V, -1 V
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 800 V, 0.78 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 三相, 800 V, 25 A, 模块, 1.26 V, 5 引脚
(EN)MULTICOMP
单晶体管 双极, PNP, -45 V, 200 MHz, 300 mW, -500 mA, 160 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 52A, D2-PAK
(EN)
VISHAY
晶体管, 双路, N通道, 场效应管, MOSFET, 30V, 8.5A
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 10 V, 1 W, SOD-123FL, 2 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 600 V, 25 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 34 A, 12 V, 2.1 mohm, 4.5 V, 400 mV
(EN)
ROHM
单晶体管 双极, PNP, -30 V, 330 MHz, 500 mW, -3 A, 200 hFE
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, P沟道, -2.4 A, -20 V, 55 mohm, -4.5 V, -1 V
(EN)
MULTICOMP
快速/超快功率二极管, 800 V, 3 A, 单, 1.7 V, 75 ns, 125 A
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 30 V, 9 mohm, 10 V, 3 V
(EN)
