规格：工作温度最高值 150°C,
MULTICOMP
二极管 桥式整流, VSIB系列, 单相, 1 kV, 4 A, SIP, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
标准功率二极管, 单, 800 V, 1 A, 1.1 V, 1.8 μs, 30 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 1.5 kV, 5 ohm, 10 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
双极性晶体管, PNP -60V TO-225
(EN)ROHM
单管二极管 齐纳, 4.7 V, 100 mW, SOD-923, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
快速/超快功率二极管, 单, 600 V, 10 A, 2.2 V, 58 ns, 50 A
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.2 A, 650 V, 0.17 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
MULTICOMP
桥式整流器, 单相, 35A, 800V 快接式
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
齐纳二极管, 500mW, 30V, SOD-123
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
快速/超快功率二极管, 单, 600 V, 60 A, 1.8 V, 35 ns, 550 A
(EN)
NXP
晶体管, 射频FET, 20 V, 20 mA, 200 mW, SOT-143B
(EN)
ROHM
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 210 MHz, 500 mW, 1 A, 120 hFE
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 5.6 V, 150 mW, SOD-523, 2 引脚, 150 °C
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 100 V, 0.2 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, MOSFET, N
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 3.6 V, 1 W, SOD-123FL, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ROHM
快速/超快二极管, 430 V, 10 A, 单, 1.7 V, 25 ns, 80 A
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, P沟道, -6 A, -45 V, 0.026 ohm, -10 V, -2.5 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
齐纳二极管, 2引脚, 4.3V V(Z), 5%, DO-214AA/SMB
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, NPN, 350 V, 10 MHz, 20 W, 500 mA, 5 hFE
(EN)
TOSHIBA
晶体管, MOSFET, N沟道, 70 A, 60 V, 5.8 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
二极管 小信号, 双隔离, 100 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
(EN)
MULTICOMP
二极管 桥式整流, 单相, 100 V, 35 A, GBPC, 1.2 V, 4 引脚
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 600 V, 35 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)MULTICOMP
桥式整流器, 单相, 25A, 1KV, 快接式
(EN)
