规格：工作温度最高值 150°C,
VISHAY
桥式整流器, 单相, 1A, 1KV, SMD
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 30.5 A, 30 V, 0.0032 ohm, 10 V, 1.2 V
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
晶体管, MOSFET, N沟道, 151 A, 60 V, 0.0027 ohm, 10 V, 2.8 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 18A, D2-PAK
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 通用, NPN, 400 V, 10 MHz, 1.56 W, 1 A, 30 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管, IGBT, 60 A, 1.65 V, 167 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 2.2 V, 500 mW, SOD-323HE, 2 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
整流桥
(EN)
DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 5.5 A, 30 V, 0.028 ohm, 10 V, 1 V
(EN)TAIWAN SEMICONDUCTOR
标准恢复二极管, 玻璃钝化, 单, 200 V, 1 A, 1.1 V, 1.8 μs, 30 A
(EN)
MULTICOMP
快速/超快功率二极管, 单, 1 kV, 2 A, 1.7 V, 75 ns, 60 A
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 26.7 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 3 V
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 8.7 mohm, 10 V, 1.8 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
快速/超快二极管, 双共阴极, 200 V, 16 A, 975 mV, 35 ns, 100 A
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 300 mV
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 单, 40 V, 2 A, DO-214AA, 2 引脚, 500 mV
(EN)
MULTICOMP
单管二极管 齐纳, 3.9 V, 200 mW, SOD-323, 2 引脚, 150 °C
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
二极管 桥式整流, 微型, 单相, 200 V, 500 mA, SMD, 1 V, 4 引脚
(EN)IXYS SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 300 V, 85 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
二极管 小信号, 单, 100 V, 150 mA, 1 V, 1 A
(EN)
MULTICOMP
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 500 mW, 1 A, 250 hFE
(EN)
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
二极管, 超快恢复型, 1A, 800V, DO-214AC
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 200 V, 20 A, 双共阴极, TO-263, 3 引脚, 1 V
(EN)NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 3 V, 1.5 W, SOT-223, 5 %, 4 引脚, 150 °C
(EN)
DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 10 V, 350 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
