规格：工作温度最高值 150°C,
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 50 A, 600 V, 0.034 ohm, 10 V, 3.5 V
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 100 V, 6 A, 通孔安装, 1.2 V, 4 引脚
(EN)
STMICROELECTRONICS
肖特基整流器, 双共阴极, 30 V, 7.5 A, TO-252, 3 引脚, 390 mV
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 12 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ALLEGRO SANKEN
单晶体管 双极, NPN, 160 V, 50 MHz, 130 W, 15 A, 50 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, NPN, 200 V, 10 MHz, 60 W, 7 A
(EN)
DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, AEC-Q101, N和P, 500 mA, 60 V, 1.3 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)INFINEON
单晶体管, IGBT, 40 A, 2.3 V, 270 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, P沟道, -39 A, -30 V, 0.0061 ohm, -10 V, -2.5 V
(EN)
VISHAY
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 200 A, 1.6 V, 500 W, 600 V, ISOTOP
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 600 V, 25 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
二极管 小信号, 双系列, 70 V, 215 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
(EN)MULTICOMP
单晶体管 双极, NPN, 100 V, 75 W, 8 A, 20000 hFE
(EN)NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 30 V, 250 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 36 A, 600 V, 0.081 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 30 V, 180 MHz, 2.5 W, 5 A, 450 hFE
(EN)VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 600 V, 2.2 ohm, 10 V, 4.5 V
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 110 V, 1 W, SOD-123FL, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ROHM
肖特基整流器, 150 V, 40 A, 双共阴极, TO-263, 3 引脚, 920 mV
(EN)RENESAS
单晶体管, IGBT, 50 A, 1.7 V, 201.6 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
(EN)STMICROELECTRONICS
小信号肖特基二极管, 双共阴极, 100 V, 40 A, 780 mV, 530 A, 150 °C
(EN)
ROHM
单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 200 mW, 200 mA, 100 hFE
(EN)
NEXPERIA
小信号肖特基二极管, 单, 40 V, 120 mA, 1 V, 150 °C
(EN)
ROHM
单晶体管 双极, PNP, -30 V, 430 MHz, 500 mW, -2 A, 200 hFE
(EN)
