规格：工作温度最高值 150°C,
MULTICOMP
单管二极管 齐纳, 20 V, 5 W, DO-201AE, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 7.5 V, 3 W, DO-214AA, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
快速/超快二极管, 400 V, 3 A, 单, 1.3 V, 35 ns, 100 A
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, HEXFET, P沟道, -18 A, -50 V, 0.093 ohm, -10 V, -4 V
(EN)
MULTICOMP
齐纳二极管, 24V, 500mW, SOD-123
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 38 A, 250 V, 75 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 三相, 600 V, 35 A, 模块, 1.19 V, 5 引脚
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
晶体管, MOSFET, P沟道, -1.6 A, -20 V, 0.175 ohm, -8 V, -950 mV
(EN)MULTICOMP
快速/超快功率二极管, 单, 600 V, 3 A, 1.7 V, 35 ns, 100 A
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 30 V, 0.0055 ohm, 10 V, 2.25 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 通用, PNP, 100 V, 3 MHz, 20 W, 6 A, 30 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
双极晶体管
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
双极性晶体管
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 4.5 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, PNP, -60 V, 2.5 MHz, 90 W, -15 A, 5 hFE
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 外延平面, 8.2 V, 200 mW, SOD-323F, 2 引脚, 150 °C
(EN)DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.2 A, 60 V, 180 mohm, 10 V, 1 V
(EN)
MULTICOMP
单晶体管 双极, PNP, -45 V, 125 MHz, 500 mW, -1 A, 250 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管, IGBT, 通用, 40 A, 600 V, 100 W, 600 V, TO-3PF, 3 引脚
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 900 V, 1 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 8.2 V, 1 W, SOD-123FL, 2 引脚, 150 °C
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 通用, NPN, 250 V, 200 W, 16 A, 20 hFE
(EN)
STMICROELECTRONICS
Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
