规格：工作温度最高值 150°C,
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 800 V, 3 ohm, 10 V, 3.75 V
(EN)
NEXPERIA
小信号肖特基二极管, 双共阴极, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 30 V, 7 mohm, 10 V, 1.8 V
(EN)
INFINEON
单晶体管, IGBT, 60 A, 1.6 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单管二极管 齐纳, 5.6 V, 200 mW, SOD-323F, 2 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -11.4 A, -30 V, 0.0195 ohm, -10 V, -3 V
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 650 V, 0.23 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 5.1 V, 500 mW, SOD-323HE, 2 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
整流桥
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
二极管 桥式整流, 单相, 100 V, 35 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
POWEREX
模块, 晶体管, IGBT, 1200V, 400A, IGBTMOD
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, 30 V, 200 MHz, 300 mW, 1 A, 450 hFE
(EN)
NEXPERIA
双极晶体管阵列, NPN, PNP, 40 V, 330 mW, 1 A, 450 hFE, SuperSOT
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, 10.5 A, -40 V, 15 mohm, 10 V, 3 V
(EN)
NEXPERIA
双极晶体管阵列, 双PNP, -30 V, 250 mW, -100 mA, 100 hFE, SOT-143B
(EN)
ROHM
单晶体管 双极, NPN, 30 V, 320 MHz, 500 mW, 2 A, 200 hFE
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 6.8 V, 375 mW, SOD-123F, 2 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
肖特基整流器, 单, 60 V, 16 A, TO-263, 2 引脚, 650 mV
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管 双极-射频, PNP, -60 V, 50 MHz, 1.5 W, -3 A, 12 hFE
(EN)
ROHM
肖特基整流器, 150 V, 10 A, 双共阴极, TO-252, 3 引脚, 880 mV
(EN)
ROHM
肖特基整流器, 30 V, 1 A, 单, SOD-323HE, 2 引脚, 520 mV
(EN)
ROHM
快速/超快二极管, 200 V, 800 mA, 单, 950 mV, 25 ns, 20 A
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 40 V, 150 MHz, 350 mW, 1 A, 300 hFE
(EN)
MULTICOMP
单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 70 W, 10 A, 750 hFE
(EN)
