规格：工作温度最高值 150°C,
MICROCHIP
晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 450 V, 20 ohm, 0 V
TAIWAN SEMICONDUCTOR
二极管 桥式整流, 单相, 200 V, 15 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
INFINEON
单晶体管, IGBT, 45 A, 3.7 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚
(EN)
MULTICOMP
桥式整流器, 单相, 25A, 50V, 快接式
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, PNP, -100 V, 3 MHz, 65 W, -6 A, 15 hFE
(EN)
ROHM
肖特基整流器, 40 V, 2 A, 单, SOD-123FL, 2 引脚, 560 mV
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 外延平面, 10 V, 200 mW, SOD-323F, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 600 V, 1.65 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 800 V, 6 A, SIP, 1 V, 4 引脚
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 600 V, 0.342 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 9.1 V, 300 mW, SOD-323, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
齐纳二极管, 4.3V, 500mW, SOD-123
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
二极管 桥式整流, 单相, 800 V, 15 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
VISHAY
桥式整流器, 单相, 35A 200V 通孔安装
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, PNP, -250 V, 4 MHz, 200 W, -16 A, 8 hFE
(EN)
NTE ELECTRONICS
数字晶体管, 预偏置, 50V, TO-92
(EN)STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 0.25 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 400 V, 8 A, 通孔安装, 1 V, 4 引脚
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 通用, PNP, 60 V, 40 MHz, 70 W, -10 A, 60 hFE
(EN)
NEXPERIA
二极管阵列 齐纳, 5.6 V, 双共阳极, 350 mW, 150 °C, SOT-323
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 500 V, 0.16 ohm, 10 V, 5 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, 5.3 A, -20 V, 60 mohm, -10 V, -2.5 V
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 20 V, 0.28 ohm, 4.5 V, 700 mV
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 20 V, 0.8 ohm, 2.5 V, 1 V
(EN)
