规格：工作温度最高值 150°C,
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, NPN, 400 V, 4 MHz, 130 W, 12 A, 6 hFE
(EN)
VISHAY
齐纳二极管, 28V, 500mW, SOD-123
(EN)
STMICROELECTRONICS
三端双向可控硅, 800 V, 35 mA, 10 W, 1 V, TO-220FPAB, 100 A
(EN)
STMICROELECTRONICS
单晶体管 双极, 达林顿, PNP, 100 V, 80 W, 12 A, 1000 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
二极管 桥式整流, 单相, 50 V, 12 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管, IGBT, 40 A, 2 V, 165 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 500 V, 190 mohm, 10 V, 3 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, PNP, -100 V, 3 MHz, 125 W, -25 A, 15 hFE
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 三相, 1.6 kV, 35 A, 模块, 1.19 V, 5 引脚
(EN)
MULTICOMP
二极管 桥式整流, 单相, 1 kV, 1 A, SOIC, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
二极管 桥式整流, 单相, 600 V, 4 A, SIP, 1 V, 4 引脚
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 130 MHz, 600 mW, 4.7 A, 75 hFE
(EN)
NEXPERIA
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4.5 A, -20 V, 0.058 ohm, -4.5 V, -700 mV
(EN)
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY
肖特基整流二极管阵列, 双路 共阴极, 40A, TO-263AB
(EN)
VISHAY
整流桥
(EN)
TOSHIBA
晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 500 V, 330 mohm, 10 V, 4 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 400 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V
(EN)
WEEN SEMICONDUCTOR
快速/超快功率二极管, 超快, 单, 600 V, 10 A, 2.5 V, 30 ns, 71 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
二极管 桥式整流, 单相, 600 V, 12 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
二极管 桥式整流, 单相, 200 V, 25 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
二极管 桥式整流, 单相, 200 V, 8 A, SIP, 1 V, 4 引脚
(EN)
SEMELAB
单晶体管 双极, PNP, -230 V, 60 MHz, 400 W, -30 A, 50 hFE
(EN)
