规格：工作温度最高值 150°C,
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 400 V, 35 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, N沟道, 58 A, 200 V, 40 mohm, 10 V, 4 V
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
MULTICOMP
桥式整流器, 单相, 25A, 400V 快接式
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 5.1 V, 225 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
ROHM
肖特基整流器, 30 V, 2 A, 单, SOD-123FL, 2 引脚, 490 mV
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 45 V, 150 MHz, 1 W, 2 A, 150 hFE
(EN)
INFINEON
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 3 A, -30 V, 100 mohm, -10 V, -1 V
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 180 MHz, 640 mW, 1 A, 63 hFE
(EN)NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 400 V, 20 MHz, 1.35 W, 300 mA, 50 hFE
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 7 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 V
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 200 V, 8 A, SIP, 1 V, 4 引脚
(EN)
VISHAY
DIODE, SCHOTTKY, 20A, 100V, TO-263AB-2
(EN)DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 25 V, 160 MHz, 2 W, 3 A, 200 hFE
(EN)
STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 400 V, 1.47 ohm, 10 V, 3.75 V
(EN)NEXPERIA
肖特基整流器, 双系列, 60 V, 1 A, SOT-223, 4 引脚, 650 mV
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, 通用, PNP, -65 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 220 hFE
(EN)TAIWAN SEMICONDUCTOR
二极管 桥式整流, 玻璃钝化, 单相, 800 V, 6 A, SIP, 1 V, 4 引脚
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -30 V, 10 mohm, -10 V, -1.8 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 40V, 60A, POWERPAKSO-8
(EN)
STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 400 V, 490 mohm, 10 V, 3.75 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -45 A, -30 V, 0.0072 ohm, -10 V, -2.5 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 音频, NPN, 260 V, 30 MHz, 200 W, 15 A, 175 hFE
(EN)
VISHAY
齐纳二极管, 27V, 225mW, SOT-23
(EN)
VISHAY
齐纳二极管, 6.2V, 500mW, SOD-123
(EN)
