规格：工作温度最高值 150°C,
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 通用, PNP, -45 V, 100 MHz, 300 mW, -500 mA, 100 hFE
(EN)
MULTICOMP
二极管 桥式整流, 单相, 600 V, 25 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 600 mA, 200 V, 2.2 ohm, 10 V, 5.5 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, 3.6 A, -20 V, 90 mohm, -10 V, -1 V
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
晶体管, 单路, IGBT, 600V, 13A
(EN)
INFINEON
单晶体管, IGBT, N通道, 40 A, 1.7 V, 180 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
双极性晶体管, PNP, -200V
(EN)
ROHM
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.19 ohm, 10 V, 5 V
(EN)
ROHM
肖特基整流器, 40 V, 100 mA, 单, SOD-523, 2 引脚, 710 mV
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -20 V, 0.018 ohm, -4.5 V, -1 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.25 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, NPN, 45 V, 125 MHz, 350 mW, 200 mA, 100 hFE
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 600 V, 25 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)IXYS SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, N沟道, 94 A, 300 V, 0.036 ohm, 10 V, 5 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
小信号肖特基二极管, 双共阴极, 120 V, 40 A, 790 mV, 220 A, 150 °C
(EN)
VISHAY
齐纳二极管, 51V, 500mW, SOD-123
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 12 V, 1.5 W, SOT-223, 5 %, 4 引脚, 150 °C
(EN)
POWEREX
晶体管模块, IGBT, 600A
(EN)
PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS
二极管 小信号, 双系列, 80 V, 65 mA, 1.2 V, 3 ns, 325 mA
(EN)
MICROCHIP
晶体管, MOSFET, N沟道, 175 mA, 300 V, 12 ohm, 0 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 47 A, 500 V, 78 mohm, 10 V, 5 V
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
晶体管, 单路, IGBT, 600V, 28A
(EN)
STMICROELECTRONICS
场效应管, MOSFET, 双N沟道, 60V, SOIC
(EN)STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 39 A, 600 V, 0.055 ohm, 10 V, 3.2 V
(EN)
VISHAY
放大器, JFET, N沟道
(EN)
