规格：工作温度最高值 150°C,
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 20 V, 0.045 ohm, 4.5 V, 1.8 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
快速/超快二极管, 双隔离, 1 kV, 30 A, 320 mV, 42 ns, 240 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
双极晶体管
(EN)
VISHAY
齐纳二极管, 3V, SOD-123
(EN)
STMICROELECTRONICS
单晶体管 双极, PNP, 70 V, 90 W, 15 A, 20 hFE
(EN)
MULTICOMP
单管二极管 齐纳, BZT52C系列, 20 V, 410 mW, SOD-123, 2 引脚, 150 °C
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 30 V, 550 mW, 2 A, 300 hFE
(EN)
NEXPERIA
二极管 小信号, 单, 85 V, 215 mA, 1.25 V, 3 μs, 4 A
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 100 V, 2 A, 通孔安装, 1 V, 4 引脚
(EN)
MULTICOMP
二极管 桥式整流, 单相, 100 V, 25 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
MULTICOMP
二极管 桥式整流, 单相, 50 V, 50 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
NEXPERIA
肖特基整流器, 单, 20 V, 500 mA, SOD-882, 2 引脚, 500 mV
(EN)
ROHM
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 600 V, 0.5 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 200 V, 0.54 ohm, 10 V, 5.25 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 3.3 ohm, 10 V, 3.75 V
(EN)STMICROELECTRONICS
单晶体管, IGBT, 15 A, 2.5 V, 56 W, 600 V, TO-220, 3 引脚
(EN)
ROHM
二极管阵列 齐纳, 6.8 V, 双共阳极, 200 mW, -55 °C, 150 °C, SOT-353
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 0.0033Ω, 100A, TO-220-3
(EN)
VISHAY
快速/超快功率二极管, 单, 1.2 kV, 20 A, 1.25 V, 95 ns, 475 A
(EN)
NEXPERIA
小信号二极管, 整卷
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 150 mA, 100 V, 5 ohm, 5 V, 2 V
(EN)NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 12 V, 250 mW, TO-236AB, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS
肖特基整流器, 双系列, 30 V, 70 mA, SOT-23, 3 引脚, 550 mV
(EN)VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 400 V, 12 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
