规格：工作温度最高值 150°C,
NTE ELECTRONICS
桥式整流器, 单相, 6A, 200V 通孔安装
(EN)
ROHM
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.5 A, 30 V, 0.038 ohm, 4.5 V, 1.5 V
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 200 V, 0.1 ohm, 10 V, 5 V
(EN)
ROHM
快速/超快功率二极管, 600 V, 3 A, 单, 1.55 V, 30 ns, 20 A
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 30 V, 0.0089 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 39 A, 30 V, 0.0033 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, P沟道, -1.5 A, -30 V, 0.115 ohm, -10 V, -2.5 V
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 20 V, 2.5 ohm, 4.5 V, 1 V
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 45 V, 0.038 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.00078 ohm, 10 V, 2.2 V
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 4.7 V, 500 mW, SOD-323HE, 2 引脚, 150 °C
(EN)ROHM
单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 200 mW, 600 mA, 100 hFE
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 1.2 kV, 25 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
MULTICOMP
单晶体管 双极, PNP, -60 V, 360 mW, 200 mA, 50 hFE
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 16 V, 250 mW, TO-236AB, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
MULTICOMP
二极管 桥式整流, 单相, 800 V, 35 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 57.7 A, 650 V, 0.067 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 100 V, 25 MHz, 20 W, 2 A, 200 hFE
(EN)
RENESAS
单晶体管, IGBT, 60 A, 1.7 V, 235.8 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, P沟道, -14 A, -60 V, 0.06 ohm, -10 V, -3 V
(EN)
ROHM
二极管 小信号, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 4 A
(EN)MULTICOMP
二极管 桥式整流, 单相, 50 V, 50 A, GBPC, 1.2 V, 4 引脚
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, P沟道, 5.5 A, -20 V, 33 mohm, -4.5 V, -700 mV
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, -3.7 A, -20 V, 0.05 ohm, -4.5 V, -550 mV
(EN)ROHM
肖特基整流器, 40 V, 5 A, 单, TO-252, 3 引脚, 750 mV
(EN)
