规格：工作温度最高值 150°C,
IXYS SEMICONDUCTOR
单晶体管, IGBT, 20 A, 2.1 V, 85 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 引脚
(EN)
NTE ELECTRONICS
双向晶闸管, 600V, 10A, TO-220
(EN)
NEXPERIA
二极管 小信号, 双系列, 100 V, 215 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, P沟道, -15 A, -100 V, 0.085 ohm, -10 V, -2.5 V
(EN)
VISHAY
MOSFET, DUAL N CHANNEL, 30V, 4.6A, POWERPAK 1212-8
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 20 V, 4 mohm, 10 V, 1.2 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.37 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
小信号肖特基二极管, 单, 60 V, 30 A, 640 mV, 400 A, 150 °C
(EN)STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 70 V, 100 mohm, 10 V, 3 V
(EN)
NEXPERIA
小信号肖特基二极管, 单, 40 V, 1 A, 640 mV, 10 A, 150 °C
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.6 W, 6 A, 200 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
达林顿双极晶体管
(EN)DIODES INC.
晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 1.4 A, 60 V, 550 mohm, 10 V, 2.1 V
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 27 V, 300 mW, SOD-323, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
快速/超快功率二极管, FRED, 1.2 kV, 52 A, 单, 2.55 V, 40 ns, 450 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
二极管 桥式整流, 单相, 200 V, 4 A, SIP, 1 V, 4 引脚
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 36 A, 500 V, 170 mohm, 10 V, 5 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 500 V, 2.3 ohm, 10 V, 3.75 V
(EN)STMICROELECTRONICS
晶闸管, 600 V, 15 mA, 25 A, 40 A, TO-263, 3 引脚
(EN)
STMICROELECTRONICS
晶闸管, 600 V, 15 mA, 25 A, 40 A, TO-220AB, 3 引脚
(EN)
VISHAY
绝缘金属物质功率模块
(EN)
MULTICOMP
小信号肖特基二极管, 双共阳极, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 150 °C
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 20 V, 300 mW, 1 A, 470 hFE
(EN)
VISHAY
齐纳二极管, 8.7V, 500mW, SOD-123
(EN)
