规格：工作温度最高值 150°C,
MULTICOMP
二极管 桥式整流, 单相, 800 V, 35 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
INFINEON
单晶体管, IGBT, 11.8 A, 2.16 V, 34 W, 600 V, TO-220FP, 3 引脚
(EN)
SEMELAB
单晶体管 双极, 音频, PNP, -230 V, 35 MHz, 300 W, -18 A, 70 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, PNP, -300 V, 80 W, -8 A, 15 hFE
(EN)
SEMIKRON
二极管 桥式整流, 单相, 800 V, 30 A, 模块, 2.2 V, 4 引脚
(EN)
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 600 V, 650 mohm, 10 V, 3.75 V
(EN)STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5 A, 600 V, 0.84 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 700 V, 1 ohm, 10 V, 3.75 V
(EN)
TOSHIBA
单晶体管 双极, 音频, PNP, -230 V, 30 MHz, 150 W, -15 A, 160 hFE
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 1 kV, 35 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
NEXPERIA
小信号肖特基二极管, 双共阴极, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C
(EN)
NEXPERIA
二极管 小信号, 双系列, 100 V, 215 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A
(EN)STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 800 V, 0.78 ohm, 10 V, 3.75 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, P沟道, 1.2 A, -60 V, 170 mohm, -10 V, -1.6 V
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 82 V, 1 W, SOD-123FL, 2 引脚, 150 °C
(EN)
NTE ELECTRONICS
双极性晶体管, PNP, -160V
(EN)
NTE ELECTRONICS
双极性晶体管, NPN, 80V TO-220
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -60 V, 90 MHz, 2.1 W, -5 A, 265 hFE
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, 开关, PNP, -60 V, 200 MHz, 200 mW, -600 mA, 100 hFE
(EN)VISHAY
晶体管, N沟道
(EN)STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 500 V, 0.73 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
SOLID STATE
晶体管, 双极性晶体管, NPN, 100V, 5A, TO-220-3
(EN)
STMICROELECTRONICS
晶闸管, 800 V, 50 mA, 50 A, 80 A, TO-268, 3 引脚
(EN)TAIWAN SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, 低电压, N沟道, 2.4 A, 20 V, 65 mohm, 4.5 V, 450 mV
(EN)
ROHM
二极管 小信号, 双对共阴极, 80 V, 25 mA, 900 mV, 4 ns, 250 mA
(EN)
