规格：工作温度最高值 150°C,
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.8 A, 900 V, 1.56 ohm, 10 V, 3.75 V
(EN)
NEXPERIA
二极管 小信号, 双共阳极, 90 V, 130 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A
(EN)
STMICROELECTRONICS
单晶体管 双极, NPN, 450 V, 70 W, 2.5 A, 10 hFE
(EN)WEEN SEMICONDUCTOR
快速/超快二极管, 单, 500 V, 5 A, 2 V, 30 ns, 44 A
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 4.7 V, 250 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 33 V, 1 W, SOD-123FL, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ROHM
肖特基整流器, 150 V, 500 mA, 单, SOD-323HE, 2 引脚, 950 mV
(EN)
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.25 A, 800 V, 3.8 ohm, 10 V, 3.75 V
(EN)STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 600 V, 480 mohm, 10 V, 3.75 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
小信号肖特基二极管, 单, 60 V, 20 A, 580 mV, 400 A, 150 °C
(EN)TOSHIBA
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.19 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY
桥式整流器
(EN)
DIODES INC.
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.4 A, 30 V, 70 mohm, 10 V, 1 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 4.6 A, 30 V, 31 mohm, 10 V, 1 V
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
小信号肖特基二极管, 单, 45 V, 10 A, 530 mV, 110 A, 150 °C
(EN)
VISHAY
肖特基整流二极管, 共阴极, 40A, TO-263AB
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 30 V, 0.065 ohm, 4.5 V, 1.6 V
(EN)
DIODES INC.
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 900 V, 1.7 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
DIODES INC.
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 900 V, 5.5 ohm, 10 V, 4 V
(EN)DIODES INC.
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 950 V, 5.5 ohm, 10 V, 4 V
(EN)IXYS SEMICONDUCTOR
小信号肖特基二极管, 双共阴极, 30 V, 15 A, 440 mV, 140 A, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
二极管 桥式整流, 单相, 200 V, 35 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管, IGBT, 通用, 54 A, 2.7 V, 167 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
(EN)
