规格：工作温度最高值 150°C,
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 16 A, 600 V, 0.2 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5 A, 600 V, 1.2 ohm, 10 V, 3.75 V
(EN)
SEMELAB
晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 60 V, 3 ohm, 10 V, 1.4 V
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 50 V, 25 A, 模块, 1.11 V, 4 引脚
(EN)
VISHAY
标准二极管, 1A, 100V, DO-214AC
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 200 MHz, 1.25 W, 1 A, 2000 hFE
(EN)WEEN SEMICONDUCTOR
三端双向可控硅, 600 V, 5 W, 1.5 V, TO-220, 65 A
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
快速/超快功率二极管, 单, 600 V, 30 A, 2.36 V, 35 ns, 200 A
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
二极管 桥式整流, 单相, 100 V, 15 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 83.2 A, 650 V, 0.033 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
功率场效应管, MOSFET, X2-Class, N沟道, 12 A, 650 V, 0.3 ohm, 10 V, 4.5 V
(EN)IXYS SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, LINEAR L2?, N沟道, 15 A, 500 V, 480 mohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
NTE ELECTRONICS
快速整流二极管阵列, 共阴极, 16A, TO-220
(EN)DIODES INC.
肖特基整流器, TRENCH, 100 V, 30 A, 双共阴极, TO-220AB, 3 引脚, 730 mV
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道+肖特基, 7.3 A, 30 V, 0.013 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
ROHM
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6 A, 45 V, 0.018 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 650 V, 0.56 ohm, 10 V, 4 V
(EN)STMICROELECTRONICS
三端双向可控硅, 600 V, 1 W, 1 V, 160 A
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 500 mA, 160 hFE
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 800 V, 8 A, 通孔安装, 1 V, 4 引脚
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, 低栅极阈值电压, N沟道, 4 A, 30 V, 66 mohm, 4.5 V, 1.5 V
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 A, 800 V, 140 mohm, 10 V, 5 V
(EN)
SEMIKRON
二极管 桥式整流, 三相, 800 V, 20 A, 模块, 2.2 V, 4 引脚
(EN)ROHM
单晶体管 双极, PNP, -50 V, 140 MHz, 150 mW, -150 mA, 120 hFE
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 51 V, 375 mW, SOD-123F, 2 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
