规格：工作温度最高值 150°C,
VISHAY
小信号肖特基二极管, 双共阴极, 45 V, 60 A, 640 mV, 320 A, 150 °C
(EN)
VISHAY
标准功率二极管, 单, 800 V, 8 A, 1.4 V, 200 A
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 600 V, 6 A, 通孔安装, 1.2 V, 4 引脚
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单管二极管 齐纳, 10 V, 350 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
标准恢复二极管, 100 V, 3 A, 单, 1.3 V, 150 ns, 125 A
(EN)TAIWAN SEMICONDUCTOR
标准功率二极管, 800 V, 1.5 A, 单, 1 V, 50 A
(EN)
MULTICOMP
单晶体管 双极, NPN, 350 V, 5 MHz, 80 W, 5 A, 75 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 200 MHz, 40 W, 4 A, 750 hFE
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 3.9 V, 250 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
MULTICOMP
二极管 桥式整流, 单相, 1 kV, 25 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
INFINEON
单晶体管, IGBT, 15 A, 2.2 V, 110 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 650 V, 0.404 ohm, 10 V, 3.5 V
(EN)
INFINEON
单晶体管, IGBT, N通道, 6.3 A, 1.95 V, 35 W, 600 V, TO-252AA, 3 引脚
(EN)IXYS SEMICONDUCTOR
功率场效应管, MOSFET, X2-Class, N沟道, 4 A, 650 V, 0.85 ohm, 10 V, 5 V
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 120 V, 1 W, SOD-123FL, 2 引脚, 150 °C
(EN)
NTE ELECTRONICS
双极性晶体管, TO-220
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -6 A, -12 V, 26 mohm, -4.5 V, -400 mV
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 560 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.2 A, 800 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 V
(EN)MULTICOMP
单管二极管 齐纳, 20 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)NEXPERIA
二极管 小信号, 单, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
二极管 桥式整流, 三相, 1.8 kV, 90 A, SMD, 1.79 V, 9 引脚
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
二极管 桥式整流, 单相, 800 V, 35 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
