规格：工作温度最高值 150°C,
MULTICOMP
二极管 桥式整流, 单相, 1 kV, 50 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 9.9 A, 30 V, 12 mohm, 4.5 V, 1.1 V
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
功率场效应管, MOSFET, X2-Class, N沟道, 22 A, 650 V, 0.145 ohm, 10 V, 5 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
肖特基整流二极管, 20A
(EN)
VISHAY
齐纳二极管, 30V, 500mW, SOD-123
(EN)
NTE ELECTRONICS
收发器芯片, NPN
(EN)
NEXPERIA
双极晶体管阵列, PNP, -20 V, 2.3 W, -6.3 A, 250 hFE, SOIC
(EN)
ROHM
二极管阵列 齐纳, 16 V, 双系列, 200 mW, -55 °C, 150 °C, SOT-323
(EN)
VISHAY
MOSFET, N CHANNEL, 12V, 34A, SOIC-8
(EN)
VISHAY
晶体管, N沟道
(EN)
SEMIKRON
二极管 桥式整流, 单相, 800 V, 17 A, 模块, 2.2 V, 4 引脚
(EN)
STMICROELECTRONICS
单晶体管, IGBT, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-220, 3 引脚
(EN)
VISHAY
晶体管, IGBT阵列&模块, HEXFRED, N沟道, 27 A, 1.6 V, 63 W, 600 V, SIP
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 20 V, 260 MHz, 250 mW, 30 mA, 65 hFE
(EN)
VISHAY
齐纳二极管, 11V, 225mW, SOT-23
(EN)
MULTICOMP
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 500 mW, 1 A, 250 hFE
(EN)
MULTICOMP
标准功率二极管, 800 V, 1 A, 单, 1 V, 30 A
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 2.4 V, 250 mW, TO-236AB, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 22 A, 1.55 V, 65 W, 600 V, Module
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 600 V, 25 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 650 V, 0.084 ohm, 10 V, 3.5 V
(EN)IXYS SEMICONDUCTOR
功率场效应管, MOSFET, X2-Class, N沟道, 80 A, 650 V, 0.038 ohm, 10 V, 5 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 双共阴极, 100 V, 30 A, TO-220FP, 3 引脚, 800 mV
(EN)
ROHM
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
ROHM
肖特基整流器, 45 V, 200 mA, 单, SOD-523, 2 引脚, 540 mV
(EN)
