规格：工作温度最高值 150°C,
SEMIKRON
晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 130 A, 2.1 V, 600 V, Module
(EN)
STMICROELECTRONICS
Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 34 A, 600 V, 0.085 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
小信号肖特基二极管, 双共阴极, 120 V, 40 A, 790 mV, 220 A, 150 °C
(EN)
STMICROELECTRONICS
三端双向可控硅, 600 V, 1 W, 1 V, 160 A
(EN)
MULTICOMP
快速/超快二极管, 单, 100 V, 1 A, 1 V, 50 ns, 30 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 通用, NPN, 65 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 200 hFE
(EN)VISHAY
标准功率二极管, 单, 1.2 kV, 10 A, 1.33 V, 140 A
(EN)ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 6 ohm, 10 VDC, 0.8 V
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 500 mA, 100 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, 40V, 1A, SOT-23
(EN)ROHM
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 10 W, 5 A, 120 hFE
(EN)
FUJI ELECTRIC
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.106 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 22 A, 1.55 V, 81 W, 600 V, Module
(EN)INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 27 A, 1.55 V, 94 W, 600 V, Module
(EN)
MULTICOMP
快速/超快功率二极管, 600 V, 3 A, 单, 1.3 V, 250 ns, 150 A
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
单晶体管, IGBT, B3-Class, 75 A, 1.51 V, 540 W, 600 V, TO-247AD, 3 引脚
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 45 V, 0.095 ohm, 4.5 V, 1.5 V
(EN)
SEMIKRON
二极管 桥式整流, 三相, 1.6 kV, 53 A, 模块, 1.5 V, 7 引脚
(EN)
VISHAY
肖特基整流器, 单, 40 V, 5 A, TO-277A, 3 引脚, 520 mV
(EN)
STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, N沟道, 7.2 A, 500 V, 0.72 ohm, 10 V, 3.75 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
单晶体管, IGBT, 200 A, 1.2 V, 600 W, 600 V, ISOTOP, 4 引脚
(EN)IXYS SEMICONDUCTOR
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 32 A, 1.2 kV, 350 mohm, 10 V, 5 V
(EN)TAIWAN SEMICONDUCTOR
标准功率二极管, 800 V, 6 A, 单, 1 V, 250 A
SEMIKRON
二极管 桥式整流, 单相, 200 V, 17 A, 模块, 2.2 V, 4 引脚
(EN)
