规格：工作温度最高值 150°C,
ON SEMICONDUCTOR
二极管 小信号, 单, 100 V, 10 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA
(EN)
NTE ELECTRONICS
双极性晶体管
(EN)
ROHM
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6 A, 30 V, 0.02 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
VISHAY
MOSFET, P CHANNEL, -150V, -8.9A, POWERPAK 1212-8
(EN)
SEMIKRON
二极管 桥式整流, 三相, 1.6 kV, 205 A, 模块, 1.65 V, 5 引脚
(EN)
STMICROELECTRONICS
Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
肖特基整流器, 双共阴极, 30 V, 15 A, TO-220AB, 3 引脚, 490 mV
(EN)
STMICROELECTRONICS
Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 12 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
ROHM
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 250 mA, 60 V, 1.7 ohm, 10 V, 2.3 V
(EN)
VISHAY
整流桥
(EN)
VISHAY
标准功率二极管, 单, 600 V, 30 A, 1.41 V, 160 ns, 350 A
(EN)
VISHAY
桥式整流器
(EN)
VISHAY
整流桥
(EN)
VISHAY
齐纳二极管, 17V, 225mW, SOT-23
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
二极管 小信号, 单, 85 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -80 V, 200 MHz, 1.25 W, -1 A, 2000 hFE
(EN)STMICROELECTRONICS
单晶体管 双极, NPN, 400 V, 80 W, 5 A, 10 hFE
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 28 A, 1.85 V, 130 W, 1.2 kV, Module
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
整流桥
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.2 A, 200 V, 0.8 ohm, 5 V, 2 V
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
单晶体管, IGBT, 50 A, 2.96 V, 300 W, 1.2 kV, TO-268, 3 引脚
(EN)
NTE ELECTRONICS
晶体管套件
(EN)ON SEMICONDUCTOR
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 600 V, 0.29 ohm, 8 V, 2.1 V
(EN)
NEXPERIA
齐纳二极管, 1W, 5.1V, SOD-123F-2
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 500 V, 1 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
