规格：工作温度最高值 150°C,
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
标准功率二极管, 单, 1.2 kV, 3 A, 1.2 V, 2.5 μs, 100 A
(EN)
VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 19.8 A, 650 V, 0.157 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
肖特基整流器, 双共阴极, 60 V, 12 A, TO-252AA, 3 引脚, 570 mV
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
二极管 小信号, 双系列, 100 V, 100 mA, 1.1 V, 4 ns, 500 mA
(EN)
VISHAY
齐纳二极管, 36V, 225mW, SOT-23
(EN)
MULTICOMP
二极管, 超快恢复型, 300mA, 75V, SOD-323-2
(EN)
INFINEON
单晶体管, IGBT, 108 A, 1.7 V, 390 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚
(EN)
SEMIKRON
二极管 桥式整流, 三相, 1.2 kV, 30 A, 模块, 2.2 V, 5 引脚
(EN)NEXPERIA
晶体管, MOSFET, P沟道, -130 mA, -50 V, 6 ohm, -10 V, -2 V
(EN)
SEMELAB
晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 160 V, 750 mohm, 1.5 V
(EN)
ROHM
二极管 小信号, 开关, 双共阳极, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 4 A
(EN)
ROHM
双极晶体管阵列, 双路, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, EMT
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 65 A, 1.85 V, 225 W, 1.2 kV, Module
(EN)
MULTICOMP
二极管 桥式整流, 单相, 1 kV, 35 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
二极管 桥式整流, 单相, 50 V, 50 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
MULTICOMP
肖特基整流器, 45 V, 40 A, 双共阴极, TO-220AB, 3 引脚, 450 mV
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 650 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 67 A, 60 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
单晶体管, IGBT, 58 A, 2.1 V, 250 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 引脚
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 44 A, 600 V, 130 mohm, 10 V, 4.5 V
(EN)IXYS SEMICONDUCTOR
Silicon Carbide IGBT Single Transistor, 60 A, 3 V, 220 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
(EN)
NTE ELECTRONICS
双极性晶体管, PNP, 140V, 100W
(EN)
NTE ELECTRONICS
晶体管, NPN
(EN)
ROHM
快速/超快二极管, 单, 200 V, 1 A, 870 mV, 25 ns, 20 A
(EN)
