规格：工作温度最高值 150°C,
STMICROELECTRONICS
肖特基整流器, 双共阴极, 60 V, 15 A, TO-247, 3 引脚, 560 mV
(EN)
VISHAY
快速/超快功率二极管, 双共阴极, 600 V, 50 A, 2 V, 75 ns, 225 A
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
二极管 桥式整流, 三相, 1.6 kV, 45 A, FO-F-B, 1.38 V, 7 引脚
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, PNP, 30 V, 110 MHz, 1.6 W, 5.5 A, 225 hFE
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 400 V, 3 A, 模块, 1 V, 4 引脚
(EN)
VISHAY
齐纳二极管, 6.8V, 500mW, SOD-123
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
标准恢复功率整流器
(EN)
FUJI ELECTRIC
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 200 A, 2.3 V, 735 W, 1.2 kV, Module
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
二极管 小信号, 双系列, 70 V, 200 mA, 1 V, 6 ns, 2 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
二极管 小信号, 双共阳极, 70 V, 150 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 420 hFE
(EN)
MULTICOMP
标准功率二极管, 单, 800 V, 3 A, 840 mV, 150 A
(EN)
STMICROELECTRONICS
单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 450 V, 250 W, 84 A, 120 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7.5 A, 20 V, 0.013 ohm, 4.5 V, 800 mV
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 39 A, 1.85 V, 175 W, 1.2 kV, Module
(EN)
MULTICOMP
二极管 桥式整流, GBU1x系列, 单相, 1 kV, 10 A, SIP, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET, P沟道, 10A
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 16 A, 500 V, 400 mohm, 10 V, 5.5 V
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 3.3 V, 225 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
NTE ELECTRONICS
达林顿双极性功率晶体管, 双PNP, 65W
(EN)ROHM
晶体管, MOSFET, P沟道, -100 mA, -20 V, 2.5 ohm, -4.5 V, -1 V
(EN)
VISHAY
MOSFET, N & P CHANNEL, 12V, 7.6A, POWERP
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 外延平面, 7.5 V, 200 mW, SOD-323F, 2 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 三相, 1 kV, 35 A, D-63, 1.19 V, 5 引脚
(EN)
