规格：工作温度最高值 150°C,
POWEREX
模块, 晶体管, IGBT, 1.2KV, 300A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 300 MHz, 250 mW, 150 mA, 200 hFE
(EN)
STMICROELECTRONICS
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 40 W, 4 A, 750 hFE
(EN)
STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 200 V, 150 mohm, 10 V, 3 V
(EN)
MULTICOMP
快速/超快二极管, 单, 100 V, 1 A, 1 V, 50 ns, 30 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
二极管 小信号, 单, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
(EN)
VISHAY
齐纳二极管, 36V, 0.35W 5%
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, 通用, PNP, -45 V, 80 MHz, 250 mW, -500 mA, 250 hFE
(EN)
FUJI ELECTRIC
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 200 A, 2.45 V, 660 W, 600 V, Module
(EN)
ROHM
单晶体管 双极, PNP, -80 V, 200 MHz, 10 W, -5 A, 120 hFE
(EN)
NEXPERIA
二极管 小信号, 单, 85 V, 250 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 通用, PNP, -65 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 220 hFE
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 600 mA, 200 V, 2 ohm, 10 V, 1.4 V
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, 6.8 V, 800 mW, DO-219AB, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 6.2 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 25 A, 1.85 V, 175 W, 1.2 kV, Module
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.2 A, 600 V, 0.171 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
INFINEON
单晶体管, IGBT, 55 A, 2.4 V, 200 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚
(EN)INFINEON
单晶体管, IGBT, 51 A, 2.7 V, 200 W, 900 V, TO-247AC, 3 引脚
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 A, 600 V, 75 mohm, 10 V, 4.5 V
(EN)IXYS SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, N沟道, 36 A, 500 V, 120 mohm, 10 V, 5 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 通用, NPN, 300 V, 15 W, 500 mA, 240 hFE
(EN)
NTE ELECTRONICS
可控硅晶闸管, 35A, 600V, TO-48
(EN)
