规格：工作温度最高值 150°C,
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 180 MHz, 640 mW, 1 A, 63 hFE
(EN)
DIODES INC.
单管二极管 齐纳, 9.1 V, 3 W, DO-214AA, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
NEXPERIA
二极管 小信号, 双隔离, 85 V, 215 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
双极性晶体管, NPN, 45V, TO-92
(EN)
VISHAY
桥式整流器, 单相, 1A, 100V 通孔安装
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, EasyPACK 2B, N沟道, 100 A, 1.45 V, 300 W, 650 V, Module
(EN)INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, EasyPACK, N沟道, 150 A, 1.45 V, 335 W, 650 V, Module
(EN)INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, EasyPACK 2B, N沟道, 75 A, 1.45 V, 250 W, 650 V, Module
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.5 A, 30 V, 0.082 ohm, 10 V, 1.8 V
(EN)
INFINEON
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.5 A, 20 V, 100 mohm, 10 V, 3 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
快速/超快功率二极管, 单, 600 V, 8 A, 2.4 V, 77 ns, 100 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 音频, NPN, 80 V, 85 Hz, 20 W, 8 A, 60 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 16 V, 225 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
NTE ELECTRONICS
场效应管, MOSFET, N沟道, 60V V(BR)DSS
(EN)
NTE ELECTRONICS
整流二极管, 1600V 75A
(EN)
ROHM
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 5 A, -30 V, 0.028 ohm, -10 V, -2.5 V
(EN)
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
标准恢复整流二极管, 2A, 400V, DO-214AA
(EN)
STMICROELECTRONICS
单晶体管, IGBT, 10 A, 1.2 kV, 75 W, 1.2 kV, TO-252, 3 引脚
(EN)
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 950 V, 3 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 350 mohm, 10 V, 4 V
(EN)STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 500 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 28 A, 600 V, 0.094 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 三相, 1.2 kV, 110 A, 模块, 1.4 V, 6 引脚
(EN)VISHAY
二极管 桥式整流, 三相, 1.2 kV, 60 A, 模块, 1.75 V, 6 引脚
(EN)
