规格：工作温度最高值 150°C,
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
二极管, 小信号, 200mA, 1V, SOT-23
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.1 V
(EN)
MULTICOMP
快速/超快功率二极管, 单, 800 V, 1 A, 1.1 V, 1.5 μs, 30 A
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 30 V, 117 mohm, 10 V, 2 V
(EN)
SEMIKRON
二极管 桥式整流, 三相, 1.6 kV, 83 A, 模块, 1.45 V, 7 引脚
(EN)
SEMIKRON
晶体管, IGBT阵列&模块, 沟, N沟道, 830 A, 2 V, 1.7 kV, Module
(EN)
STMICROELECTRONICS
小信号肖特基二极管, 单, 60 V, 30 A, 615 mV, 600 A, 150 °C
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -8.2 A, -60 V, 0.125 ohm, -10 V, -2 V
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
二极管 桥式整流, 单相, 1.6 kV, 100 A, PWS-C, 1.24 V, 4 引脚
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
二极管 桥式整流, 三相, 1.2 kV, 127 A, 模块, 1.9 V, 5 引脚
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, IGBT阵列&模块, NPN, 10 A, 1.5 V, 32 W, 600 V, SPM26-AAA
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 5.1 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
齐纳二极管, 3.3V, 350mW, SOT-23
(EN)
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 650 V, 1 ohm, 10 V, 3 V
(EN)STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, N沟道, 4.4 A, 525 V, 1.2 ohm, 10 V, 3.75 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
MULTICOMP
二极管, 标准恢复, 1A, 400V, DO-204AL-2
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 215 MHz, 385 mW, 1 A, 450 hFE
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 通用, PNP, -40 V, 200 MHz, 225 mW, -600 mA, 30 hFE
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 180 MHz, 500 mW, 1 A, 100 hFE
(EN)NEXPERIA
单晶体管 双极, 通用, NPN, 30 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 200 hFE
(EN)
VISHAY
齐纳二极管, 3.9V, 500mW, SOD-123
(EN)
NEXPERIA
二极管 小信号, 四共阴极, 100 V, 250 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 通用, NPN, 65 V, 150 MHz, 625 mW, 100 mA, 290 hFE
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, -80 V, 145 MHz, 500 mW, -1 A, 63 hFE
(EN)
