规格：工作温度最高值 150°C,
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 18 V, 250 mW, TO-236AB, 2 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 5.6 V, 250 mW, TO-236AB, 2 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 10 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
POWEREX
晶体管, IGBT模块, 1.2KV, 100A
(EN)
MULTICOMP
桥接整流器, 单相, 25A, 600
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET, N沟道, 10V, 18A TO-204AE
(EN)
INFINEON
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 11 A, 30 V, 0.0137 ohm, 10 V, 1.8 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 790 mA, 250 V, 2 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
INFINEON
单晶体管, IGBT, 51 A, 2.25 V, 200 W, 900 V, TO-247AC, 3 引脚
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 200 V, 180 mohm, 5 V, 2 V
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
单晶体管, IGBT, 隔离, 50 A, 2.4 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 引脚
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 35 V, 8 A, 单, TO-252, 3 引脚, 510 mV
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 18 V, 225 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
NTE ELECTRONICS
二极管, 快速, 双路, 30A, 600V, TO-247VAR
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 100 MHz, 250 mW, 500 mA, 100 hFE
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 19.5A, POWERPAK
(EN)
SEMIKRON
桥式整流器，3相全波，1.6KV V(RRM)
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 650 V, 2.7 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
单晶体管, IGBT, 20 A, 1.8 V, 25 W, 600 V, TO-220FP, 3 引脚
(EN)
VISHAY
肖特基整流器, 双共阴极, 30 V, 6 A, TO-252, 3 引脚, 470 mV
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 三相, 100 V, 25 A, 模块, 1.26 V, 5 引脚
(EN)VISHAY
肖特基整流器, 双共阴极, 45 V, 30 A, TO-247AC, 3 引脚, 540 mV
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 115mA SOT-23
(EN)
