规格：工作温度最高值 150°C,
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, 50 V, 600 mW, 3 A, 200 hFE
(EN)
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 650 V, 0.39 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 950 V, 0.68 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 500 mA, 160 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
双极晶体管阵列, 通用, 双NPN, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363
(EN)
VISHAY
二极管, 标准, 1A, 1KV, DO-214AC, 整卷
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, N沟道, 78 A, 500 V, 0.068 ohm, 10 V, 5 V
(EN)
VISHAY
标准二极管, 3A, 1KV, DO-201AD
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
二极管 桥式整流, 三相, 1.6 kV, 60 A, 模块, 1.44 V, 7 引脚
(EN)
VISHAY
开关二极管, 150mA, 100V, SOD-323
(EN)
MULTICOMP
单晶体管 双极, PNP, -80 V, 3 MHz, 30 W, -1 A, 40 hFE
(EN)
NEXPERIA
小信号肖特基二极管, 双系列, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
(EN)
NXP
RF WIDEBAND TRANSISTOR, PNP, -15V, 5GHZ,
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 11 V, 250 mW, TO-236AB, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 3.3 V, 250 mW, TO-236AB, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
齐纳二极管, 350mW, 15V, SOT-23
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, 6.8 V, 300 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
POWEREX
晶体管, IGBT模块, 1600W, Vceo:600V, 400A, 600V
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 375 A, 1.95 V, 1.8 kW, 1.7 kV, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 500 A, 1.45 V, 1.25 kW, 600 V, Module
(EN)INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 600 A, 1.95 V, 2.5 kW, 1.7 kV, Module
(EN)INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 950 A, 1.95 V, 1.7 kV, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 35 A, 1.85 V, 210 W, 1.2 kV, Module
(EN)
