规格：工作温度最高值 150°C,
VISHAY
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.1 A, 800 V, 3 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
INFINEON
单晶体管, IGBT, 85 A, 2.3 V, 350 W, 600 V, TO-274AA, 3 引脚
(EN)
INFINEON
单晶体管, IGBT, 80 A, 3.5 V, 595 W, 1.2 kV, TO-274AA, 3 引脚
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 8.36 V, 300 mW, SOD-323, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 4.7 V, 500 mW, SOD-523, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.1 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 33 V, 225 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
齐纳二极管, 500mW, 8.2V, SOD-123, 整卷
(EN)
NTE ELECTRONICS
小信号双极性晶体管
(EN)
NTE ELECTRONICS
双极性晶体管, TO-3P
(EN)
NTE ELECTRONICS
晶体管, PNP, 180V, 2A, TO-220AB-3
(EN)
NTE ELECTRONICS
双向晶闸管, 8A
(EN)
WEEN SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, NPN, 400 V, 80 W, 12 A, 40 hFE
(EN)
MULTICOMP
二极管 桥式整流, 三相, 800 V, 35 A, 模块, 1.05 V, 5 引脚
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 40V, 3.9A, TO-236, 整卷
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 30 V, 0.0058 ohm, 10 V, 2 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
肖特基整流器, 双共阴极, 30 V, 15 A, TO-220AB, 3 引脚, 460 mV
(EN)
STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 620 V, 2.2 ohm, 10 V, 3.75 V
(EN)
MULTICOMP
快速/超快二极管, 单, 400 V, 1 A, 1 V, 50 ns, 30 A
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
二极管 桥式整流, 单相, 1.6 kV, 45 A, PWS-B, 1.14 V, 4 引脚
(EN)
VISHAY
标准功率二极管, 单, 600 V, 20 A, 1.3 V, 95 ns, 300 A
(EN)
VISHAY
标准二极管, 6A, 200V, P600, 整卷
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 420 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, PNP, -350 V, 35 MHz, 230 W, -15 A, 10 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
齐纳二极管, 20V, SOD-123, 整卷
(EN)
