规格：工作温度最高值 150°C,
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 65 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 110 hFE
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, 通用, PNP, -45 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 125 hFE
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, NPN, 12 V, 400 MHz, 225 mW, 100 mA, 25 hFE
(EN)
WEEN SEMICONDUCTOR
快速/超快功率二极管, 单, 600 V, 9 A, 1.9 V, 35 ns, 100 A
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, 5.1 V, 410 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 22 V, 375 mW, SOD-123F, 2 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 10 V, 250 mW, TO-236AB, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 3 V, 250 mW, TO-236AB, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, 5.6 V, 300 mW, SOT-23, 2 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 12 V, 225 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 13 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 43 V, 225 mW, SOT-23, 7 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, 5.6 V, 300 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, 6.2 V, 300 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, 8.2 V, 300 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)VISHAY
单管二极管 齐纳, 9.1 V, 300 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
二极管, 1.5A, DIP-4, 整卷
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
快速/超快功率二极管, 单, 600 V, 3 A, 1.7 V, 45 ns, 100 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 30 V, 0.0132 ohm, 10 V, 1.7 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, P沟道, 6.5 A, -200 V, 800 mohm, -10 V, -4 V
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, MOSFET, P沟道, -200V, 6.5A, TO-204AA
(EN)
VISHAY
MOSFET, P CHANNEL, -100V, -3.1A, TO-252-3
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 600 V, 15 A, SIP, 900 mV, 4 引脚
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 6.2 V, 500 mW, SOD-523, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
齐纳二极管, 10V, SOT-23, 整卷
(EN)
