规格：工作温度最高值 150°C,
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 20 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, BZX84C, 22 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, 2.7 V, 300 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 4.3 V, 225 mW, SOT-23, 7 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 9.1 V, 225 mW, SOT-23, 6 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
POWEREX
晶体管, IGBT模块, N沟道, 1.2KV, 450A
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
电源模块, NEXFET对, 同步降压, 25V, 65A, SON-8
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
二极管, 1.5A, DIP-4, 整卷
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.7 A, 20 V, 80 mohm, 4.5 V, 900 mV
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.5 A, 20 V, 25 mohm, 4.5 V, 1 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 900 mA, 20 V, 220 mohm, 4.5 V, 1 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 900mA, SOT-23, 整卷
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 50 A, 1.85 V, 285 W, 1.2 kV, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 100 A, 1.75 V, 515 W, 1.2 kV, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 700 A, 1.3 V, 1.55 kW, 650 V, Module
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
肖特基整流器, 单, 45 V, 10 A, TO-277A, 3 引脚, 440 mV
(EN)VISHAY
二极管 小信号, 双系列, 300 V, 225 mA, 1 V, 50 ns, 4 A
(EN)
VISHAY
二极管 小信号, 单, 300 V, 225 mA, 1 V, 50 ns, 4 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, IGBT, 600V, 14A
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.7 A, 200 V, 79 mohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 60 V, 0.0056 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 500 V, 1.85 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 5.2A D2-PAK
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, N沟道, 86 A, 300 V, 0.033 ohm, 10 V, 5 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 单, 60 V, 3 A, DO-201AD, 2 引脚, 740 mV
(EN)
