规格：工作温度最高值 150°C,
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -16.3 A, -100 V, 0.115 ohm, -10 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 650V, 24A, TO-247AC-3
(EN)
FUJI ELECTRIC
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 47 A, 600 V, 0.059 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
晶体管, 单路, IGBT, 1.2KV, 45A
ON SEMICONDUCTOR
DIODE, SMALL SIGNAL, 200mA, 40V, SOD-923-2
(EN)
NEXPERIA
双极晶体管阵列, 双PNP, -60 V, 510 mW, -2 A, 50 hFE, SOT-1118
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 外延平面, 30 V, 150 mW, SOD-523, 2 引脚, 150 °C
(EN)
NEXPERIA
双极性晶体管, MED POWER, NPN, 60V, 1A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
快速恢复二极管, 1A, 100V, 轴向引线
(EN)
PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS
二极管 小信号, 双共阴极, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 10 ns, 750 mA
(EN)
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
齐纳二极管, 200mW, 5.1V, SOD-323
(EN)
VISHAY
MOSFET, P CHANNEL, -50V, -9.9A, TO-252-3
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
场效应管, JFET, N沟道, -25V, SOT-23
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 3.6 V, 500 mW, SOD-323HE, 2 引脚, 150 °C
(EN)
NXP
二极管, 射频/PIN, 双系列, 0.85 ohm, 60 V, SOT-23, 3引脚, 0.325 pF
(EN)
VISHAY
肖特基整流器, 5A 50V DO-201AD
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 76 A, 650 V, 0.036 ohm, 10 V, 5 V
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0021 ohm, 10 V, 2.2 V
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 外延平面, 4.3 V, 200 mW, SOD-323F, 2 引脚, 150 °C
(EN)ROHM
单管二极管 齐纳, 外延平面, 3 V, 200 mW, SOD-323F, 2 引脚, 150 °C
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
标准恢复二极管, 100 V, 3 A, 单, 1.1 V, 100 A
(EN)ROHM
单管二极管 齐纳, 外延平面, 18 V, 150 mW, SOD-523, 2 引脚, 150 °C
(EN)
INFINEON
单晶体管, IGBT, N通道, 11.5 A, 3.01 V, 34 W, 600 V, TO-220FP, 3 引脚
(EN)
VISHAY
齐纳二极管, 8.2V, 500mW, SOD-123
(EN)
