规格：工作温度最高值 150°C,
STMICROELECTRONICS
标准恢复二极管, 单, 600 V, 4 A, 1.7 V, 50 ns, 60 A
(EN)
NEXPERIA
双极晶体管阵列, NPN, PNP, 20 V, 2.3 W, 7.5 A, 300 hFE, SOIC
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
快速/超快二极管, 150 V, 3 A, 单, 950 mV, 35 ns, 100 A
(EN)
NXP
齐纳二极管, 33V, 375mW, SOD-123F-2
(EN)
MULTICOMP
齐纳二极管, 8.2V, 500mW, SOD-123
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -200V, 3.8A, SOIC
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
晶体管, MOSFET, P沟道, -2.2 A, -12 V, 0.044 ohm, -4.5 V, -600 mV
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 3.7A, MICROFET 2X2
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管, P通道, MOSFET, -55V, 18A, D-PAK
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.5 A, 100 V, 0.054 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
ROHM
单晶体管 双极, PNP, -12 V, 280 MHz, 500 mW, -3 A, 270 hFE
(EN)ROHM
单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 30 V, 200 MHz, 200 mW, 300 mA, 10000 hFE
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 外延平面, 7.5 V, 150 mW, SOD-523, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ROHM
二极管 小信号, 双对共阳极, 80 V, 25 mA, 900 mV, 4 ns, 80 mA
(EN)
STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 500 V, 340 mohm, 10 V, 3.75 V
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 外延平面, 6.8 V, 200 mW, SOD-323F, 2 引脚, 150 °C
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.2 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)ROHM
单晶体管 双极, PNP, -40 V, 250 MHz, 6.2 W, -200 mA, 100 hFE
(EN)
STMICROELECTRONICS
小信号肖特基二极管, 单, 120 V, 30 A, 900 mV, 260 A, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
标准二极管, 1A, 600V, 403D
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET, N沟道, 1.7W, 6-TSOP
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, AEC-Q101, NPN, 45 V, 100 MHz, 280 mW, 100 mA, 200 hFE
(EN)
VISHAY
场效应管, P通道, MOSFET, -200V, 6.5A, D2-PAK
(EN)TOSHIBA
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.3 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
BOURNS
晶闸管, 120 V, -5 mA, 5 μA, SOIC, 8 引脚
(EN)
