规格：工作温度最高值 150°C,
NEXPERIA
单晶体管 双极, 通用, NPN, 50 V, 80 MHz, 200 mW, 150 mA, 200 hFE
(EN)
VISHAY
整流桥
(EN)
STMICROELECTRONICS
小信号肖特基二极管, 单, 120 V, 30 A, 950 mV, 240 A, 150 °C
(EN)
STMICROELECTRONICS
肖特基整流器, 双共阴极, 40 V, 15 A, TO-247, 3 引脚, 500 mV
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET, N沟道, 100A, 100V, 3.6W
(EN)
STMICROELECTRONICS
小信号肖特基二极管, 双共阴极, 120 V, 40 A, 830 mV, 210 A, 150 °C
(EN)
INFINEON
场效应管, MOSFET
(EN)
NEXPERIA
双极晶体管阵列, 双NPN, 60 V, 510 mW, 2 A, 50 hFE, SOT-1118
(EN)
NEXPERIA
小信号肖特基二极管, 单, 60 V, 200 mA, 600 mV, 3 A, 150 °C
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, 沟槽式FET, N沟道, 19 A, 20 V, 0.0022 ohm, 4.5 V, 1.8 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, 双N沟道, 30V, SOIC
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, 沟槽式FET, N沟道, 50 A, 40 V, 0.0036 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 27 V, 200 mW, SOD-323FL, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 双共阴极, 120 V, 30 A, TO-220FP, 3 引脚, 1.08 V
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 600 V, 0.342 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 外延平面, 36 V, 200 mW, SOD-323F, 2 引脚, 150 °C
(EN)INFINEON
功率场效应管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 63.3 A, 650 V, 0.043 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
ROHM
肖特基整流器, 60 V, 2 A, 单, SOD-123FL, 2 引脚, 650 mV
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 5.6 V, 500 mW, SOD-323HE, 2 引脚, 150 °C
(EN)ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 0.0049Ω, 15A, SOIC-8
(EN)
VISHAY
二极管, 肖特基, 8A, 20V, TO-277A-3
(EN)
ROHM
肖特基整流器, 200 mA, 单, SOD-523, 2 引脚, 470 mV
(EN)
STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 0.0117 ohm, 10 V, 1 V
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 6.8 V, 250 mW, TO-236AB, 2 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)ROHM
二极管 小信号, 双系列, 80 V, 1.2 V
(EN)
