规格：工作温度最高值 150°C,
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
MOSFET, N CHANNEL, 600V, 9.3OHM, 1A, TO-252-3
(EN)
VISHAY
MOSFET, DUAL N CHANNEL, 12V, 4.5A, POWERPAK SC70-6
(EN)
NXP
双极性晶体管, 高电压, PNP, -250V, -100mA, 3SOT223
(EN)
NEXPERIA
小信号肖特基二极管, 单, 10 V, 2 A, 350 mV, 9 A, 150 °C
(EN)
STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 500 V, 0.4 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
ROHM
快速/超快功率二极管, 600 V, 20 A, 单, 2.8 V, 35 ns, 100 A
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 900 mW, 500 mA, 250 hFE
(EN)
STMICROELECTRONICS
小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 30 A, 510 mV, 250 A, 150 °C
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 8A, SOIC
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, N沟道, 30 A, 40 V, 0.0076 ohm, 10 V, 3.5 V
(EN)
VISHAY
整流桥
(EN)
DIODES INC.
单晶体管 双极, NPN, 20 V, 100 MHz, 600 mW, 500 mA, 220 hFE
(EN)
MULTICOMP
单管二极管 齐纳, 18 V, 3 W, DO-15, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
二极管 桥式整流, 单相, 50 V, 25 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
VISHAY
肖特基整流器, 双共阴极, 120 V, 40 A, TO-263AC, 3 引脚, 890 mV
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 30 V, 0.044 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
VISHAY
标准功率二极管, 单, 1.2 kV, 16 A, 3 V, 30 ns, 190 A
STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.2 A, 500 V, 1.22 ohm, 10 V, 3.75 V
(EN)
MULTICOMP
小信号肖特基二极管, 双共阴极, 45 V, 15 A, 720 mV, 150 A, 150 °C
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 6.2 V, 200 mW, SOD-323, 2 引脚, 150 °C
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
快速/超快二极管, 50 V, 3 A, 单, 950 mV, 35 ns, 100 A
(EN)MULTICOMP
单管二极管 齐纳, 20 V, 3 W, DO-15, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 通用, PNP, 60 V, 75 MHz, 625 mW, 2 A, 75 hFE
(EN)
INFINEON
单晶体管, IGBT, 20 A, 360 V, 34 W, 360 V, TO-220FP, 3 引脚
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
场效应管, JFET, N沟道, -25V, SOT-23
(EN)
