规格：工作温度最高值 150°C,
ROHM
二极管阵列 齐纳, 6.8 V, 200 mW, 150 °C, SOT-323
(EN)
ROHM
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -1.3 A, -12 V, 0.19 ohm, -4.5 V, -1 V
(EN)
VISHAY
二极管, 肖特基, 30A, 100V, TO-220AB-3
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 16 V, 500 mW, SOD-323HE, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ROHM
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 46 A, 600 V, 0.075 ohm, 10 V, 5 V
(EN)
STMICROELECTRONICS
小信号肖特基二极管, 单, 100 V, 30 A, 800 mV, 300 A, 150 °C
(EN)
ROHM
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
ROHM
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.11 ohm, 10 V, 5 V
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -30 V, 0.009 ohm, -10 V, -2.5 V
(EN)ROHM
晶体管, MOSFET, P沟道, -14 A, -30 V, 0.005 ohm, -10 V, -2.5 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 4.1A, SOIC
(EN)
ROHM
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
ROHM
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 30 V, 0.0012 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)ROHM
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 200 V, 25 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)
INTERNATIONAL RECTIFIER
晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 500 V, 1.5 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 33 V, 250 mW, TO-236AB, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 550 V, 0.27 ohm, 10 V, 3 V
(EN)STMICROELECTRONICS
小信号肖特基二极管, 双共阴极, 100 V, 40 A, 780 mV, 530 A, 150 °C
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT, 1.9V, 70A, TO-247AC-3
(EN)STMICROELECTRONICS
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.168 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, 双NPN, 120 V, 120 MHz, 2 W, 1 A, 30 hFE
(EN)ROHM
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 600 V, 0.57 ohm, 10 V, 4 V
(EN)ROHM
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 600 V, 0.5 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
