规格：工作温度最高值 150°C,
ROHM
晶体管, MOSFET, P沟道, -5.5 A, -30 V, 0.0193 ohm, -10 V, -2.5 V
(EN)
ROHM
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 9 A, 30 V, 0.0165 ohm, 10 V, 2.5 V
(EN)
MULTICOMP
单管二极管 齐纳, 27 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ROHM
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 200 V, 0.25 ohm, 10 V, 5.25 V
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 650 V, 0.594 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 24 V, 150 mW, SOD-523, 2 引脚, 150 °C
(EN)
MICREL SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, P沟道, 2 A, -6 V, 0.07 ohm, -4.5 V, -1.2 V
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 50 V, 1.6 ohm, 4.5 V, 800 mV
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 39 A, 30 V, 10 mohm, 10 V, 1 V
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 30 V, 500 mW, SOD-323HE, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 0.0132Ω, 9A, SOIC-8
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -30 V, 0.07 ohm, -10 V, -2.5 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, NPN, 400 V, 625 mW, 300 mA, 200 hFE
(EN)
INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 7.1 A, 550 V, 0.47 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
ROHM
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 0.9 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
ROHM
晶体管, MOSFET, P沟道, -1.3 A, -12 V, 0.19 ohm, -4.5 V, -1 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
MOSFET, DUAL N CHANNEL, 30V, 0.0013OHM, 60A, POWER 56-8
(EN)
INFINEON
软恢复 二极管
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 6.1A
(EN)
VISHAY
单管二极管 齐纳, 5.1 V, 300 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
场效应管, MOSFET, P沟道, -150V, 3A, POWER 33
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 高静电防护, 25.31 V, 1 W, SOD-123, 2 引脚, 150 °C
(EN)ROHM
单管二极管 齐纳, 10 V, 500 mW, SOD-323HE, 2 引脚, 150 °C
(EN)ROHM
双极晶体管阵列, NPN, PNP, -12 V, EMT
(EN)
