规格：工作温度最高值 150°C,
BROADCOM LIMITED
二极管, 射频/PIN, 开关, 单, 2.5 ohm, 100 V, SOT-323, 3引脚, 0.375 pF
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 高静电防护, 11.51 V, 1 W, SOD-123, 2 引脚, 150 °C
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, PNP, 80 V, 125 MHz, 550 mW, 4 A, 300 hFE
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, 开关, PNP, -40 V, 150 MHz, 250 mW, -100 mA, 60 hFE
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.9 A, 20 V, 31 mohm, 4.5 V, 1.8 V
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, -2.4A, SOT-23, 整卷
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 4.9 A, 30 V, 0.029 ohm, 10 V, 20 V
(EN)
VISHAY
二极管 桥式整流, 单相, 50 V, 35 A, 模块, 1.14 V, 4 引脚
(EN)
MULTICOMP
单管二极管 齐纳, 9.1 V, 1 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
小信号肖特基二极管, 双共阴极, 60 V, 30 A, 690 mV, 320 A, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
MOSFET, N CHANNEL, 150V, 0.0439OHM, 16A,
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 320 A, 1.85 V, 1.05 kW, 1.2 kV, Module
(EN)INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 450 A, 1.75 V, 1.6 kW, 1.2 kV, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 100 A, 1.45 V, 335 W, 600 V, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 100 A, 1.45 V, 335 W, 600 V, Module
(EN)
MULTICOMP
二极管 桥式整流, 单相, 800 V, 25 A, 模块, 1.1 V, 4 引脚
(EN)INFINEON
晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 20 V, 6 mohm, 10 V, 3 V
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, Q3-Class, N沟道, 63 A, 500 V, 0.065 ohm, 10 V, 6.5 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
双极性晶体管
(EN)
NTE ELECTRONICS
双极性晶体管, 达林顿, PNP, 100V V(BR)CEO,8A I(C),TO-220VAR
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 30 V, 0.0048 ohm, 10 V, 2.2 V
(EN)
SEMIKRON
二极管 桥式整流, 三相, 1.6 kV, 207 A, 模块, 1.65 V, 5 引脚
(EN)
VISHAY
整流桥
(EN)
MULTICOMP
标准恢复二极管, 单, 50 V, 1 A, 1.2 V, 200 ns, 30 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
开关二极管, 75V, 200mA, SOT-23, 整卷
(EN)
