规格：工作温度最高值 150°C,
ON SEMICONDUCTOR
二极管 小信号, 双隔离, 70 V, 215 mA, 1 V, 6 ns, 500 mA
(EN)
INFINEON
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.6 A, 60 V, 0.12 ohm, 4.5 V, 1.6 V
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 4.3 V, 250 mW, TO-236AB, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -1.9 A, -20 V, 127 mohm, -4.5 V, -900 mV
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 995 A, 1.75 V, 4.05 kW, 1.2 kV, Module
(EN)
NTE ELECTRONICS
标准恢复整流器
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
二极管 桥式整流, 单相, 1.2 kV, 31 A, FO-A, 1.8 V, 4 引脚
(EN)
STMICROELECTRONICS
单晶体管 双极, PNP, -30 V, 100 MHz, 500 mW, -1.5 A, 560 hFE
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
晶体管, MOSFET, N沟道, 97 A, 25 V, 3.9 mohm, 8 V, 1.1 V
(EN)TEXAS INSTRUMENTS
晶体管, MOSFET, P沟道, 60 A, -20 V, 0.0088 ohm, -4.5 V, 850 mV
(EN)INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 340 A, 1.95 V, 1.5 kW, 1.7 kV, Module
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.4 A, 30 V, 35 mohm, 10 V, 1.5 V
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 5.6 V, 225 mW, SOT-23, 2 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
晶体管, JFET, -40V, TO-236, 整卷
(EN)
NEXPERIA
二极管 小信号, 双系列, 110 V, 150 mA, 1.25 V, 50 ns, 10 A
(EN)NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 36 V, 250 mW, TO-236AB, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 520 A, 1.75 V, 2.4 kW, 1.2 kV, Module
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
场效应管, MOSFET, N沟道, SOT-223, SMD, 1.5A, 100V
(EN)
IXYS SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, N沟道, 40 A, 600 V, 0.14 ohm, 10 V, 5.5 V
(EN)
NTE ELECTRONICS
双极性晶体管, NPN, 325V, TO-3
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 1A, SOT-23
(EN)
STMICROELECTRONICS
晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 250 V, 55 mohm, 10 V, 3 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
标准二极管, 3A, 50V, 轴向引线, 整卷
(EN)
MULTICOMP
单管二极管 齐纳, 75 V, 1 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
