规格：工作温度最高值 150°C,
ON SEMICONDUCTOR
小信号肖特基二极管, 双共阳极, 40 V, 120 mA, 380 mV, 600 mA, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
肖特基整流二极管, 共阳极, 0.12A, SOT23, 整卷
(EN)
NEXPERIA
二极管 小信号, 单, 85 V, 200 mA, 1.25 V, 3 μs, 4 A
(EN)
NEXPERIA
双极性晶体管, NPN, 30V, 100MA, 3-SOT-23, 整卷
(EN)
NEXPERIA
双极晶体管阵列, PNP, -45 V, 390 mW, -100 mA, 290 hFE, SOT-143B
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 20 V, 260 MHz, 250 mW, 30 mA, 65 hFE
(EN)
MULTICOMP
单管二极管 齐纳, BZT52C系列, 18 V, 410 mW, SOD-123, 2 引脚, 150 °C
(EN)NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 13 V, 250 mW, TO-236AB, 2 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 62 V, 250 mW, TO-236AB, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS
二极管, 超快恢复型, 100mA, 80V, SOT-143
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 240 A, 1.75 V, 1.1 kW, 1.2 kV, Module
(EN)
INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 600 A, 1.75 V, 3.35 kW, 1.2 kV, Module
(EN)INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 930 A, 2 V, 4.15 kW, 1.7 kV, Module
(EN)INFINEON
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 900 A, 1.7 V, 5.1 kW, 1.2 kV, Module
(EN)
IXYS RF
晶体管, 射频FET, 500 V, 55 A, 600 W, 500 kHz, SOT-227B
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 12 V, 500 mW, SOD-523, 2 引脚, 150 °C
(EN)ON SEMICONDUCTOR
双极性晶体管, NPN, 30V SOT-23, 整卷
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 10 V, 225 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 27 V, 225 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 稳压器, 91 V, 225 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
齐纳二极管, 500mW, 5.1V, SOD-123, 整卷
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 300 mW, 1 A, 250 hFE
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, 开关, NPN, 15 V, 500 MHz, 250 mW, 200 mA, 20 hFE
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 29A, SOIC, 整卷
(EN)
