规格：工作温度最高值 150°C,
VISHAY
肖特基整流器, 单, 30 V, 1 A, MicroSMP, 2 引脚, 550 mV
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.1 A, 30 V, 0.08 ohm, 10 V, 1.7 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, PNP, -40 V, 160 MHz, 2 W, -3 A, 100 hFE
(EN)
NEXPERIA
晶体管, BISS, NPN, 500V, 150MA, 3-SOT-323
(EN)
ROHM
标准功率二极管, AEC-Q101, 600 V, 1 A, 单, 980 mV, 25 A
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
二极管 小信号, 双共阳极, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
(EN)
ROHM
单管二极管 齐纳, 130 V, 200 mW, SOD-323FL, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 稳压器, 91 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 530 mA, 20 V, 0.35 ohm, 4.5 V, 1 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
达林顿双极晶体管
(EN)
NEXPERIA
晶体管, MOSFET, N沟道, 900 mA, 30 V, 0.39 ohm, 4.5 V, 700 mV
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
小信号肖特基二极管, 单, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, -6 A, -8 V, 0.025 ohm, -4.5 V, -350 mV
(EN)VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 4.3 A, 40 V, 0.042 ohm, 10 V, 1.5 V
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, P沟道, 8.6 A, -60 V, 0.0115 ohm, -10 V, -3 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单管二极管 齐纳, 通用, 24 V, 1.5 W, DO-214AC, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
NEXPERIA
小信号肖特基二极管, 单, 40 V, 120 mA, 370 mV, 200 mA, 150 °C
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 60A, POWERPAKSO-8
(EN)TAIWAN SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 微型, 单, 60 V, 2 A, DO-214AC, 2 引脚, 700 mV
(EN)ON SEMICONDUCTOR
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 30 V, 100 mohm, 10 V, 1.7 V
(EN)
VISHAY
肖特基整流器, 单, 60 V, 10 A, TO-277A, 3 引脚, 670 mV
(EN)
VISHAY
二极管, 肖特基, 3A, 60V, TO-277A-3
(EN)ROHM
标准功率二极管, 单, 600 V, 1 A, 1.1 V, 30 A
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 40 V, 130 MHz, 1.35 W, 5 A, 500 hFE
(EN)
