规格：工作温度最高值 150°C,
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 51 V, 300 mW, SOD-323, 2 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
NEXPERIA
肖特基整流器, 双共阴极, 30 V, 2 A, SOT-1061, 3 引脚, 440 mV
(EN)
INFINEON
双路场效应管, MOSFET, P沟道, -8 A, -30 V, 0.017 ohm, -10 V, -1.8 V
(EN)
VISHAY
肖特基整流器, 1A 60V DO-213AB
(EN)
NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 10 V, 300 mW, SOD-323, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 47 V, 300 mW, SOD-323, 5 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
VISHAY
场效应管, MOSFET, P沟道, 60V V(BR)DSS
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 600 mA, 20 V, 0.41 ohm, 4.5 V, 900 mV
(EN)DIODES INC.
小信号肖特基二极管, 单, 40 V, 1.16 A, 560 mV, 22 A, 150 °C
(EN)
NEXPERIA
单晶体管 双极, NPN, 400 V, 25 MHz, 730 mW, 1 A, 155 hFE
(EN)NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 22 V, 300 mW, SOD-323, 2 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
肖特基整流器, 单, 200 V, 3 A, DO-214AB, 2 引脚, 840 mV
(EN)
VISHAY
晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 8 V, 0.0078 ohm, 4.5 V, 350 mV
(EN)ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 通用, NPN, 30 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 290 hFE
(EN)
ON SEMICONDUCTOR
单晶体管 双极, 通用, PNP, 60 V, 200 MHz, 1.5 W, -600 mA, 200 hFE
(EN)
TAIWAN SEMICONDUCTOR
快速/超快二极管, 单, 400 V, 1 A, 1.3 V, 35 ns, 30 A
(EN)NEXPERIA
单管二极管 齐纳, 13 V, 300 mW, SOD-323, 2 %, 2 引脚, 150 °C
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
场效应管, N沟道, 大功率, NEXFET, 25V, 100A, SON-8
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 25 V, 4.6 ohm, 4.5 V, 1.4 V
(EN)
TEXAS INSTRUMENTS
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 15 A, 30 V, 2.1 V
(EN)
DIODES INC.
晶体管, MOSFET, N沟道, 35.8 A, 30 V, 0.0011 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD
晶体管, MOSFET, N沟道, 16.8 A, 60 V, 0.05 ohm, 10 V, 4 V
(EN)
INFINEON
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.9 A, 800 V, 1.22 ohm, 10 V, 3 V
(EN)
